Samsung或將於下周宣布量產3nm芯片!

據韓聯社報道,三星預計將於下周宣布量產3nm芯片。這意味著該公司至少在宣布時間上將領先臺積電,後者預計將在今年下半年開始生產3nm芯片。

與三星的5nm工藝(用於驍龍 888 和 Exynos 2100)相比,三星的3nm節點將帶來35%的面積減少、30% 的性能提升或 50% 的功耗降低。

這將通過切換到晶體管的全方位柵極 (GAA) 設計來實現。這是 FinFET 鰭式場效應晶體管之後的下一步,因為它允許代工廠縮小晶體管,而不會損害其承載電流的能力。

新工藝最大的擔憂是產量。去年10月,三星表示其3nm工藝的良率「正在接近與4nm工藝相似的水平」。雖然該公司從未公布官方數據,但分析師認為,三星的4nm節點受到良率問題的困擾。

美國總統拜登上個月參觀了三星位於平澤的工廠,參加了三星3nm技術的演示。去年有傳言稱,該公司可能會投資100億美元在美國德克薩斯州建立一家3nm代工廠。該投資已增至170億美元,該工廠預計將於2024年開始運營。

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